Everlast писал(а):Опять же доказать что ток утечки составляет один два процента ты шеф, не можешь.
это ты дегенерат нихуя не шариш и лезеш туда. в чем нуляра полный
32 нм техпроцесс для радиочастотных устройств
На прошлой неделе на симпозиуме VLSI Circuits на Гавайях, корпорация Intel объявила о возможности создания СнК и РЧ-устрйоств по 32-нм технологии. Ее основу составляют транзисторы с диэлектриками high-k и металлическими затворами второго поколения.
Н
ачиная с прошлого года, Intel начала поставлять микропроцессоры на основе 32-нм технологии. Это уже третий 32-нм технологический процесс от Intel. Первым был для процессоров, а второй для систем на кристалле. Как заявил Майк Майберри (Mike Mayberry ), вице президент и директор по исследованию компонентов Intel, третий предназначен для РЧ-устройств и СнК.
На презентации было отмечено, что особенностью технологического процесса являются низкие токи утечки и отличные рабочие характеристики.
Intel утверждает, что при NMOS-технологии достигается частота срезам fT при 420 ГГц. А при низкой утечки 30pA/um, эта частота составляет: 218 ГГц.
Теперь, когда по 32-нм технологии создаются транзисторы с высоким напряжением пробоя, возможно и производство усилителей мощности в WiFi, WiMAX, сотовых и GPS устройствах.
это технологии штеуда применяемые для производства 32-нм процессоров.
учитывая что в 2600К почти 1 млрд транзисторов, получаем
30*32*1млрд/1 трлн=0,96 А при напряжении питания 1,25 В получаем 1,2 Вт, что при TDP 95W составляет 1,3%
ну что лошара, ты уже идешь сосать и в жопу долбиться?
ты в очередной раз пернул в лужу и обосрался
тиристорный кеш отдыхает
Добавлено через 5 минут 35 секунд:так это я еще даже лишканул, NMOS для процессоров имеет меньшие токи утечки, нежели для РЧ
Добавлено через 14 минут 29 секунд:всетаки наверное TDP складываеться в основном из мощности рассеиваемой на участве сток-исток Everlast
